Título

Energy states in GaAs delta-doped field effect transistors under hydrostatic pressure

Autor

JUAN CARLOS MARTINEZ OROZCO

ISAAC RODRIGUEZ VARGAS

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) Electron states structure GaAs doped field effect transistors

Resumen o descripción

The study of the electronic structure in GaAs-based delta-doped field effect transistors under applied hydrostatic pressure is presented. A combination of the depletion approximation and the local density Thomas-Fermi theory is used to model the potential energy profile. We present a discussion on the possible effect of the hydrostatic pressure in the formation of high conductivity channels in the system.

Producción Científica de la Universidad Autónoma de Zacatecas UAZ

Fecha de publicación

2008

Tipo de publicación

Artículo

Recurso de información

http://ricaxcan.uaz.edu.mx/jspui/handle/20.500.11845/2498

0026-2692

Formato

application/pdf

Idioma

Inglés

Audiencia

Público en general

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional Caxcán

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