Título

Modeling Transmission Lines on Silicon in the Frequency and Time Domains from S-Parameters

Autor

SVETLANA CARSOF SEJAS GARCIA

Reydezel Torres Torres

Roberto Stack Murphy Arteaga

Nivel de Acceso

Acceso Abierto

Licencia

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0

Materias

CPW - (INSPEC) Skin effect - (INSPEC) Transmission-line loss - (INSPEC) CIENCIAS FÍSICO MATEMÁTICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA - (CTI) FÍSICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI) ELECTRÓNICA - (CTI)

Resumen o descripción

This brief presents the full characterization andmodeling of uniform transmission lines on silicon. It includes the implementation of equivalent circuit models in both the frequency and time domains to perform accurate and causal simulations up to 30 GHz and for rise times in the order of picoseconds, respectively. These models can be directly implemented in SPICE-like simulators to obtain fast and physically based results when working on RFCMOS.

Editor

IEEE Transactions on Electron Devices

Fecha de publicación

junio de 2012

Tipo de publicación

Artículo

Versión de la publicación

Versión aceptada

Recurso de información

http://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/2119

Formato

application/pdf

Idioma

Inglés

Audiencia

Estudiantes

Investigadores

Público en general

Sugerencia de citación

Sejas-García, Svetlana C., et al., (2012), Modeling Transmission Lines on Silicon in the Frequency and Time Domains from S-Parameters, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 59(6):1803–1806

Repositorio Orígen

Repositorio Institucional del INAOE

Descargas

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