Título
Banco de pruebas de degradación de memorias NAND Flash
Autor
CÉSAR ARGUELLO RUBIO
Colaborador
DAGOBERTO DE LEON GORDILLO (Revisor)
Nivel de Acceso
Acceso Abierto
Materias
Resumen o descripción
Los dispositivos de almacenamiento NAND Flash han encontrado su uso en un número cada vez mayor de aplicaciones de informática y dispositivos electrónicos, han ido remplazando los discos duros convencionales, debido a su alta tasa de transferencia de datos, durabilidad y bajo consumo de energía (MicronTechnologies®, 2006). A medida que ha continuado la búsqueda de productos de menor potencia, más ligeros y más robustos, las memorias de tipo NAND Flash se han convertido en la opción de almacenamiento líder para una amplia gama de aplicaciones. Diversos quipos instrumentados de CIDESI emplean memorias de tipo NAND Flash, esto para aprovechar su mayor densidad y menor costo para aplicaciones de alto rendimiento frente a dispositivos de almacenamiento como memorias de tipo flash NOR y discos duros convencionales. Los dispositivos NAND Flash se componen de celdas, las cuales son las encargadas de almacenar la información. Las celdas NAND Flash son un 60% más pequeña que las celdas de las memorias de tipo flash NOR, lo que proporciona densidades más altas, lo cual es requerido para los dispositivos de bajo consumo de hoy en día. Los dispositivos NAND Flash pueden usar tecnología de celda de un solo nivel SLC, donde cada celda puede almacenar un dígito binario o tecnología multinivel como MLC y TLC, donde cada celda puede almacenar múltiples dígitos binarios, le ventaja principal de los dispositivos NAND Flash que almacenan más de un bit por celda es que pueden tener una mayor capacidad de almacenamiento a un menor costo por unidad de almacenamiento. Una demanda cada vez mayor de capacidad de almacenamiento junto con la implementación de la tecnología Flash MLC y TLC, ha generado la necesidad de crear métodos de detección y corrección de errores más potentes, esto es porque estos dispositivos se degradan a medida que se escribe y se borra información, en consecuencia, aumenta la probabilidad de error en el almacenamiento de información en el dispositivo.
Fecha de publicación
septiembre de 2020
Tipo de publicación
Otro
Trabajo terminal, especialidad
Recurso de información
Formato
application/pdf
Idioma
Español
Cobertura
MEX
Audiencia
Público en general
Repositorio Orígen
Repositorio Institucional CIDESI
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